3月6日，中国科学院半导体研究所骆军委研究员应邀来访，在卓越楼0207以“面向硅量子计算的超快锗空穴量子比特”为题作学术报告。388vip太阳集团副院长朱成军教授主持，学院教师、研究生和本科生共60余人参加。

硅基量子计算机凭借兼容成熟的半导体工艺和良好的可扩展、可集成特性、长相干时间等优势，是实现通用量子计算机的最佳方案，Intel、IBM、三星、imec等国际半导体巨头都加入竞争行列。锗硅量子阱中的锗空穴由于有效质量小、更易于器件制备、免于能谷劈裂瓶颈、自旋轨道相互作用强等特性，现在已经实现10比特的逻辑操控以及16个量子点的调控。骆军委研究员课题组发现线性Rashba是锗实验上实现108MHz的EDSR量子比特操控速度的物理根源，为提升锗空穴量子比特性能、发展通用硅基量子计算机奠定了理论基础。报告会后，师生与骆老师就硅基量子计算的相关问题进行了讨论。

报告人简介：

骆军委，中国科学院半导体研究所研究员，半导体芯片物理与技术全国重点实验室主任，2019年获得国家杰出青年科学基金资助（2025年获得延续资助）。长期从事半导体物理与器件物理研究，聚焦在解决硅基发光和硅基量子比特材料等关键瓶颈，为后摩尔时代硅基器件提供新方法和新思路。

报告会现场

（编辑：雅丽娜       审核：刘雪峰      终审：曹海鹰）